HMC902LP3ETR

Le HMC902LP3ETR est un transistor pseudomorphique Arséniure de Gallium (GaAs), haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur, faible bruit (LNA) à circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC), auto-polarisé avec contrôle de polarisation en option pour la réduction de l'IDQ. Il comporte également des entrées/sorties bloquées en courant continu et adaptées en interne à 50 ohms, ce qui le rend idéal pour les radios micro-ondes haute capacité et les applications de terminaux à très petite ouverture (VSAT) en bande C. Les applications typiques sont les radios point à point, les radios point à multipoint, l'armée, le spatial et l'instrumentation de test.

• Auto-polarisé avec contrôle de polarisation en option pour la réduction du contrôle de drain au repos (IDQ)
• Gamme de fréquence de 5 à 11GHz (TA = 25°C, VDD1= VDD2=3,5V, IDQ=80mA)
• Variation du gain en fonction de la température de 0,01 dB/°C (TA=25°C, VDD1=VDD2=3,5V, IDQ=80mA)
• Gain de 19.5dB typ (TA=25°C, VDD1=VDD2=3.5V, IDQ=80mA)
• Puissance de sortie saturée 17.5dBm typ (TA=25°C, VDD1=VDD2=3.5V, IDQ=80mA)
• Courant d'alimentation 80mA typ (VDD=3.5V, set VGG2=0V, VGG1=0V typ, TA=25°C, VDD1=VDD2=3.5V, IDQ=80mA)
• Boîtier LFCSP (Lead Frame Chip Scale), 16 broches
• Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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