HMC637BPM5E

Le HMC637BPM5E est un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC), arséniure de gallium (GaAs), un transistor pseudomorphique à haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur de puissance distribué cascode. Ce composant est auto-polarisé en fonctionnement normal et dispose d'un contrôle de polarisation en option pour le réglage du courant de repos (IDQ) et pour l'optimisation de l'interception de deuxième ordre (IP2) et de troisième ordre (IP3) Cet amplificateur fonctionne de DC à 7,5GHz, fournissant 15,5dB de gain de signal faible, une puissance de sortie de 28dBm avec une compression de gain de 1 dB, une sortie IP3 typique de 39 dBm et un facteur de bruit de 3,5dB, tout en nécessitant 345mA à partir d'une tension d'alimentation de 12V (VDD). Planéité du gain est excellente de DC à 7,5GHz à ±0,5dB typique, ce qui rend le dispositif idéal pour les applications militaires, aérospatiales et d'équipement de test. Il est largement utilisé dans des applications telles que l'armée et l'aérospatiale, l'instrumentation de test, etc.

• Auto-polarisé à VDD = 12V à 345mA typique
• Contrôle de biais en option sur VGG1 pour l'ajustement IDQ
• Contrôle de biais en option sur VGG2 pour l'optimisation IP2 et IP3
• Entrée et sortie assorties de 50 ohms
• Bruit de 3,5dB typique à (TA = 25°C, VDD = 12V)
• Gain plat de ± 0,5dB typique à (TA = 25°C, VDD = 12V)
• Variation du gain en fonction de la température de 0,015dB/°C typique à (TA = 25°C, VDD = 12V)
• Température d'utilisation de -55°C à +85°C
• Boîtier LFCSP-CAV, 32 broches

Remarques

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