HMC632LP5E

Le HMC632LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes varactor et comporte des sorties demi-fréquence et division par 4. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. La puissance de sortie est de +9dBm typique à partir d'une tension d'alimentation de +5V. La RF/2 fonction de prédiviseur peut être désactivée pour conserver le courant si elle n'est pas nécessaire. Il est largement utilisé dans des applications telles que la radio point à point/multipoint, les équipements de test et les contrôles industriels, SATCOM, l'utilisation finale militaire, etc.

• Double sortie: Fo = 14.25GHz à 15.65GHz, Fo/2 = 7.125GHz à 7.825GHz
• Bruit de phase de -107dBc/Hz typique à (100KHz, TA = 100KHz)
• Aucun résonateur externe nécessaire
• Tension ajustable de 2V à 13V
• Courant d'alimentation 350mA typique à (TA = +25°C)
• Perte de retour de sortie de 2dB typique à (TA à +25°C)
• Taux de dérive de fréquence de 1MHz/°C typique à (TA = +25°C)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier SMT, 32 broches

Remarques

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