HMC582LP5E

Le HMC582LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes varactor et comporte des sorties demi-fréquence et division par 4. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. La RF/2 fonction de prédiviseur peut être désactivée pour conserver le courant si elle n'est pas nécessaire. L'application typique comprend la radio point à point/multipoint, l'équipement de test& les commandes industrielles, SATCOM, l'utilisation finale militaire.

• Aucun résonateur externe nécessaire
• Gamme de fréquences de 11,1 à 12,4GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Gamme de puissance de sortie +5 à+ 12dBm (RFOUT, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Bruit de phase SSB à 100KHz offset, Vtune= +5V à RFOUT de -110dBc/Hz (typ, TA = +25°C)
• Plage de tension de réglage de 2 à 12V (Vtune, TA = +25°C)
• Courant d'alimentation de 350mA (typ, Icc(Dig) + Icc(Amp) + Icc(RF), TA = +25°C)
• Courant de fuite du port de réglage (Vtune= 13V) est de 10µA (max, TA= +25°C)
• Perte de retour de sortie de 2dB (typ, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Harmoniques/sous-harmoniques de 32dBc (typ, 1/2, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5 V)
• Boîtier QFN 32 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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