HMC510LP5ETR

Le HMC510LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes varactor et comporte des sorties demi-fréquence et division par 4. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. La puissance de sortie est de +13dBm typique à partir d'une tension d'alimentation de +5V. La RF/2 fonction de prédiviseur peut être désactivée pour conserver le courant si elle n'est pas nécessaire. Il est largement utilisé dans des applications telles que la radio point à point/multipoint, les équipements de test et les contrôles industriels, SATCOM, l'utilisation finale militaire, etc.

• Plage de fréquence de sortie double Fo = 8,45GHz - 9,55GHz, Fo/2 = 4,225GHz - 4,775GHz
• Bruit de phase de -116dBc/Hz typique à (offset de 100KHz, Vtune= +5V à RFOUT)
• Aucun résonateur externe nécessaire
• Tension ajustable de 2V à 13V
• Courant d'alimentation 315mA typique avec (TA= +25°C)
• Perte de retour de sortie de 2dB typique à (TA à +25°C)
• Taux de dérive de fréquence de 0,8MHz/°C typique à (TA = +25°C)
• Pushing à (Vtune= 5V) de 20 MHz/V typ
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier QFN, 32 broches

Remarques

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