HMC414MS8GE

Le HMC414MS8GE est un amplificateur de puissance MMIC à transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) à haut rendement qui fonctionne entre 2,2 et 2,8GHz. L'amplificateur est conditionné dans un boîtier 8 broches, montage en surface, faible coût avec une base exposée pour des performances RF et thermiques améliorées. Avec un minimum de composants externes, cet amplificateur fournit un gain de 20dB, +30dBm de puissance saturée à 32% de PAE à partir d'une alimentation +5V L'amplificateur peut également fonctionner avec une alimentation de 3,6V. Vpd peut être utilisé pour une mise hors tension complète ou un contrôle de puissance/courant de sortie RF. Cet amplificateur est idéal pour une utilisation comme amplificateur de puissance pour les applications Bluetooth, MMDS de 2,2 à 2,7GHz.

• Capacité de mise hors tension, faible nombre de composants externes
• Gamme de fréquence de 2,2 à 2,8GHz (Vs= 3,6V, TA = +25°C)
• Gain de 20dB (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
• Variation de gain en fonction de la température de 0.03dB/°C (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
• Perte de retour d'entrée 8dB (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
• Perte de réflexion en sortie de 9dB et facteur de bruit de 6,5dB (typ, Vs = 3,6V, TA = +25°C)
• Puissance de sortie pour une compression de 1dB (P1dB) de 25dBm (typ, Vs = 5GHz, TA = +25°C)
• Puissance de sortie saturée 27dBm (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
• Point d'interception du troisième ordre de 35dBm (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
• Boîtier MSOP-EP 8 Broche, Plage de température de -40 à +85°C

Remarques

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