HMC358MS8GE

Le HMC358MS8GE est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Celui-ci intègre des résonateurs, des composants à résistance négative, des diodes varactor et des amplificateurs buffer. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. Les applications typiques sont les VCO MMIC à faible bruit avec amplificateur buffer pour les applications en bande C telles que UNII et Pt. au Pt. radios, 802.11a et HiperLAN WLAN, radios VSAT.

• Aucun résonateur externe nécessaire
• Gamme de fréquence de 5.8 à 6.8GHz (TA = +25° C, Vcc = +3V)
• Puissance de sortie 11dBm (typ, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Bruit de phase SSB à 100KHz offset, Vtune= +5V à RFOUT de -110dBc/Hz (typ, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Plage de tension de réglage de 0 à 10V (Vtune, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Courant d'alimentation (Icc) (Vcc = +3V) de 100mA (typ, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Courant de fuite du port de réglage (Vtune= 13V) est de 10µA (max, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Perte de retour de sortie de 9dB (typ, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Taux de dérive de fréquence de 0,8MHz/°C (typ, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Boîtier MSOP8G 8 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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