ADL8107ACPZN

Le ADL8107 est en arséniure de gallium (GaAs), un IC hyperfréquence monolithique (MMIC), un transistor pseudomorphique haute mobilité électronique (pHEMT), un à haute linéarité amplificateur large , bande, faible bruit qui fonctionne de 6GHz à 18GHz. Il fournit un gain typique de 24dB entre 7GHz et 16GHz, un facteur de bruit typique de 1,3dB entre 7GHz et 16GHz, une puissance de sortie typique de 18,5dBm pour une compression de 1dB (OP 1dB) entre 7GHz et 16GHz et une interception de troisième ordre de sortie typique (OIP3) de 29dBm entre 7GHz et 16GHz, nécessitant seulement 90mA à partir d'une tension d'alimentation de drain de 5V. Cet amplificateur faible bruit est doté d'une interception de second ordre (OIP2) à haut rendement de 30,5dBm typique entre 7GHz et 16GHz, ce qui rend l'ADL8107 adapté aux applications militaires et d'instrumentation de test. Les broches RFIN et RFOUT sont couplées en interne en courant alternatif et l'inductance de polarisation est également intégrée, ce qui rend le ADL8107 idéal pour les applications haute densité basées sur la technologie montée en surface (CMS). Les applications incluent les instruments de test, les communications militaires et les radars.

• Alimentation positive simple (auto-polarisée)
• Gamme de fréquence de 6GHz à 7GHz (VDD = 5V, (IDQ)= 90mA, TCASE = 25°C)
• Gain 22,5dB typique (VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• Facteur de bruit 1,9dB typique (VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• Perte de retour d'entrée 12dB typique (VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• Perte de retour de sortie 13dB typique (VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• OP1dB 18dBm typique (VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• Puissance de sortie saturée de 19,5dBm typique (VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• Rendement de puissance ajoutée 16% typique (mesurée à PSAT, VDD = 5V, (IDQ) = 90mA, TCASE = 25°C)
• Boîtier LFCSP 8 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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