Imprimer la page
AS6C4016-55ZIN
SRAM, Asynchrône, 4 Mbit, 256K x 16 bits, TSOP-II, 44 Broche(s), 2.7 V
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
27 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.820 |
| 10+ | CHF 3.560 |
| 25+ | CHF 3.450 |
| 50+ | CHF 3.370 |
| 100+ | CHF 3.250 |
| 250+ | CHF 3.210 |
| 500+ | CHF 3.170 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 3.82 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantALLIANCE MEMORY
Réf. FabricantAS6C4016-55ZIN
Code Commande4260919
Fiche technique
Type SRAMAsynchrône
Densité de mémoire4Mbit
Configuration mémoire256K x 16 bits
IC Boîtier/PaquetTSOP-II
Nbre de broches44Broche(s)
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.5.5V
Tension d'alimentation nominale3V
Fréquence d'horloge Max.-
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
L'AS6C4016-55ZIN est une SRAM CMOS 256K x 16 bits, très faible consommation. L'AS6C6264-55SIN est une mémoire vive statique CMOS basse consommation de 4 194 304 bits organisée en 262 144 mots de 16 bits. Il est fabriqué avec une technologie CMOS très haute performance et haute fiabilité. Son courant de veille est stable sur toute la plage de température d'utilisation. Elle est bien conçue pour les applications faible consommation et particulièrement bien adapté aux applications de mémoire non volatile de secours sur batterie.
- Temps d'accès rapide de 55ns
- Faible consommation Courant d'utilisation de 30mA typique
- Alimentation 2.7V à 5.5V simple
- Toutes les entrées et les sorties sont compatibles TTL
- Fonctionnement entièrement statique, sortie trois états
- Tension de rétention des données 1.5V (minimum)
- Boîtier TSOP-II 44 broches
- Plage de température industrielle de -40°C- 85°C
Spécifications techniques
Type SRAM
Asynchrône
Configuration mémoire
256K x 16 bits
Nbre de broches
44Broche(s)
Tension d'alimentation Max.
5.5V
Fréquence d'horloge Max.
-
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
Densité de mémoire
4Mbit
IC Boîtier/Paquet
TSOP-II
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002899