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DIF065SIC020
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 83.490 |
| 5+ | CHF 74.380 |
| 10+ | CHF 65.270 |
| 50+ | CHF 63.960 |
| 100+ | CHF 62.660 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIOTEC
HerstellerteilenummerDIF065SIC020
Bestellnummer4552615
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung550W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
550W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005167