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TMMDB3
DIAC / SIDAC, 28 V, 36 V, 100 µA, MiniMELF, 2 Pin(s), DIAC
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTMMDB3
Bestellnummer
Gurtabschnitte9946284
Gurtabschnitte9946284RL
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.430 |
| 10+ | CHF 0.256 |
| 100+ | CHF 0.163 |
| 500+ | CHF 0.122 |
| 1000+ | CHF 0.102 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTMMDB3
Bestellnummer
Gurtabschnitte9946284
Gurtabschnitte9946284RL
Technisches Datenblatt
Schwellenspannung, min.28V
Schwellenspannung, max.36V
Kippstrom, max.100µA
Bauform - Diac / SidacMiniMELF
Anzahl der Pins2Pin(s)
TypDIAC
Betriebstemperatur, max.125°C
ThyristormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
TMMDB3 ist ein 32V-VBO-DIAC der als eine Trigger-Diode mit einer festen Spannungsreferenz fungiert. Der Baustein kann verwendet werden zusammen mit TRIACs für vereinfachte Gate-Steuerschaltungen oder als Startelement in Vorschaltgeräten für Leuchtstofflampen verwendet werden.
Anwendungen
Beleuchtung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Schwellenspannung, min.
28V
Kippstrom, max.
100µA
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
125°C
Produktpalette
-
Schwellenspannung, max.
36V
Bauform - Diac / Sidac
MiniMELF
Typ
DIAC
Thyristormontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000544
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