EVSTDRIVEG600DG

Dieses Demoboard ist ausgelegt für den 600V-High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG600 mit GaN-HEMT (Anreicherungstyp). STDRIVEG600 ist ein High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber, der optimiert wurde zum Ansteuern von Hochspannungs-GaN-HEMT (Anreicherungstyp). Dieser Baustein verfügt über eine integrierte Bootstrap-Diode und ermöglicht die Versorgung externer Schalter mit bis zu 20V, mit einem auf GaN-HEMT zugeschnittenen Unterspannungsschutz. Das EVSTDRIVEG600DG-Board ist benutzerfreundlich und ermöglicht die schnelle Evaluierung der Eigenschaften des Bausteins STDRIVEG600 beim Ansteuern von 650V-e-Mode-GaN-Schaltern. Es bietet einen boardinternen, programmierbaren Totzeitgenerator und einen linearen 3.3V-Spannungsregler zum Versorgen externer Logik-Controller wie Mikrocontroller. Es sind freie Flächen enthalten, sodass das Board für die Endanwendung angepasst werden kann, z. B. separates Eingangssignal oder einfaches PWM-Signal, Verwendung einer optionalen externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder BOOT und Verwendung eines Low-Side-Messwiderstands für Peak-Current-Mode-Topologien.

• Halbbrücken-Topologie mit 600V-STDRIVEG600-Gate-Treiber
• Ausgestattet mit 650V-HEMT-GaN, 150 mOhm
• GaN in einem 5x6mm großen PowerFLAT-Gehäuse mit Kelvin-Quelle
• Hochspannungsbus bis zu 500V
• VCC-Gate-Treiber-Versorgungsspannung: 4.75 bis 6.5V, begrenzt durch nominelle GaN-VGS
• Boardinterner, einstellbarer Totzeitgenerator
• Es können auch separate Eingänge mit externer Totzeit verwendet werden
• Boardinterner 3.3V-Regler für externe Schaltungsversorgung
• Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 25°C/W zum Evaluieren großer Stromversorgungs-Topologien
• Hochfrequenz-Steckverbinder zur Überwachung des Gate-GaN-Leistungstransistors