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MC1413BDR2G
TRANSISTOR-ARRAY, NPN, 1.1V, SOIC
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMC1413BDR2G
Bestellnummer2845423
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 0.26 |
| 1000+ | CHF 0.24 |
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| 5000+ | CHF 0.23 |
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Produktbeschreibung
The MC1413BDR2G is a NPN high current Darlington Bipolar Transistor Array suitable for driving lamps, relays or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. It has high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500mA permit them to drive incandescent lamps. The device with a 2.7kΩ series input resistor is well suited for systems utilizing a 5V TTL or CMOS logic.
- High voltage
- -40 to 85°C Operating ambient temperature range
Anwendungen
Beleuchtung, Power-Management, Unterhaltungselektronik, Industrie
Technische Spezifikationen
Versorgungsspannung, min.
-
Anzahl der Ausgänge
7Ausgänge
Ausgangsstrom
500mA
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Versorgungsspannung, max.
3V
Ausgangsspannung
50V
Bauform - Treiber
SOIC
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MC1413BDR2G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536