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R6004KNJTL
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Montage en surface
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR6004KNJTL
Code Commande3213669
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.9ohm
Type de boîtier de transistorTO-263S
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance58W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4A
Type de boîtier de transistor
TO-263S
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
58W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.9ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour R6004KNJTL
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001