Imprimer la page
2’380 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.888 |
| 50+ | CHF 0.547 |
| 100+ | CHF 0.451 |
| 500+ | CHF 0.377 |
| 1000+ | CHF 0.357 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 4.44 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBRD835LT4G
Code Commande1611349
Gamme de produitMBRD8
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive35V
Courant direct moyen8A
Configuration diodeUne
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nombre de broches3Broche(s)
Tension directe max510mV
Courant de surtension vers l'avant75A
Température de fonctionnement max..150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitMBRD8
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MBRD835LT4G is a SWITCHMODE™ DPAK surface-mount Power Rectifier with moulded epoxy case. It uses the Schottky barrier principle with a proprietary barrier metal, is designed for use as output rectifiers, free-wheeling, protection and steering diodes in switching power supplies, inverters and other inductive switching circuits.
- All external surfaces corrosion-resistant
- Low forward voltage
- UL94V-0 Flammability rating
- Compact size
- Lead formed for surface-mount
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
35V
Configuration diode
Une
Nombre de broches
3Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
75A
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Courant direct moyen
8A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Tension directe max
510mV
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
MBRD8
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits