Imprimer la page
1’755 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | CHF 0.783 |
50+ | CHF 0.606 |
100+ | CHF 0.462 |
500+ | CHF 0.378 |
1000+ | CHF 0.336 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 3.92 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBRD1035CTLT4G
Code Commande2317430
Gamme de produitMBRD1
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive35V
Courant direct moyen10A
Configuration diodeDouble cathode commune
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nombre de broches3Broche(s)
Tension directe max560mV
Courant de surtension vers l'avant50A
Température de fonctionnement max..150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitMBRD1
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MBRD1035CTLT4G is a SWITCHMODE™ DPAK surface-mount Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free-wheeling diode and polarity protection diodes.
- All external surfaces corrosion-resistant
- Highly stable oxide passivated junction
- Guard-ring for stress protection
- Matched dual die construction - may be paralleled for high current output
- High dv/dt capability
- Short heat-sink tap manufactured - Not sheared
- Very low forward-voltage drop
- UL94V-0 Flammability rating
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
35V
Configuration diode
Double cathode commune
Nombre de broches
3Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
50A
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Courant direct moyen
10A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Tension directe max
560mV
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
MBRD1
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00033
Traçabilité des produits