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IDH12SG60CXKSA2
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ Gen III Series, Une, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH12SG60CXKSA2
Code Commande3625449
Gamme de produitthinQ Gen III Series
Egalement appeléIDH12SG60C, SP001632404
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.760 |
| 10+ | CHF 5.540 |
| 100+ | CHF 2.910 |
| 500+ | CHF 2.450 |
| 1000+ | CHF 2.360 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH12SG60CXKSA2
Code Commande3625449
Gamme de produitthinQ Gen III Series
Egalement appeléIDH12SG60C, SP001632404
Fiche technique
Gamme de produitthinQ Gen III Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive600V
Courant direct moyen12A
Charge Capacitive Totale19nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ Gen III Series
Tension inverse crête répétitive
600V
Charge Capacitive Totale
19nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
12A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002268
Traçabilité des produits