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0.235ohm FET Nitrure de gallium (GaN):
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Tension Drain-Source Vds
Courant de drain Id
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Charge de porte Typique
Type de boîtier de transistor
Montage transistor
Nbre de broches
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
1 Filtre(s) sélectionné(s)
| Comparer | Prix pour | Quantité | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ CHF 3.570 10+ CHF 3.000 100+ CHF 2.560 500+ CHF 2.300 1000+ CHF 2.030 | Min : 1 / Mult : 1 | 700V | 8.8A | 0.235ohm | 1.6nC | PDFN | Montage en surface | 8Broche(s) | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ CHF 3.510 10+ CHF 2.950 100+ CHF 2.510 500+ CHF 2.260 1000+ CHF 2.000 | Min : 1 / Mult : 1 | 700V | 8.8A | 0.235ohm | 1.6nC | PDFN | Montage en surface | 8Broche(s) | |||||
