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C3M0032120K
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
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| Menge | |
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| 5+ | CHF 16.170 |
| 10+ | CHF 15.720 |
| 50+ | CHF 15.260 |
| 100+ | CHF 14.810 |
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC3M0032120K
Bestellnummer3220498
ProduktpaletteC3M
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id63A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.032ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung283W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteC3M
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.032ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
283W
Produktpalette
C3M
Technische Dokumente (2)
Alternativen für C3M0032120K
3 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008673