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MXP120A080FW-GE3
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerMXP120A080FW-GE3
Bestellnummer4561974
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247AD
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.-
Verlustleistung139W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MXP120A080FW-GE3 is a MaxSiC™ 1200V N-channel SiC MOSFET in a TO-247 package. Typical applications charger, auxiliary motor drive and DC/DC converter.
- Fast switching speed
- Short circuit withstand time 3μs
- 80mohm drain source on state resistance at VGS=20V
- 29A continuous drain current
- 139W power dissipation
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247AD
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
139W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001