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STGW75H65DFB2-4
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW75H65DFB2-4
Bestellnummer3581059
ProduktpaletteHB2
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 18 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.540 |
| 5+ | CHF 4.600 |
| 10+ | CHF 3.660 |
| 50+ | CHF 3.610 |
| 100+ | CHF 3.580 |
| 250+ | CHF 3.530 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 5.54 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW75H65DFB2-4
Bestellnummer3581059
ProduktpaletteHB2
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom115A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.55V
Verlustleistung357W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteHB2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
115A
Verlustleistung
357W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
HB2
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.55V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443
Produktnachverfolgung