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Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Rds(on)-Messspannung Vgs Transistormontage Schwellenspannung Vgs Bauform - Transistor Verlustleistung Pd Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage

3586074

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage

VISHAY

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n-Kanal 162A 30V 950µohm 10V Oberflächenmontage 2.2V PowerPAK 1212-8S 57W 8Pin(s) 150°C TrenchFET Gen V -
SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage

3586074RL

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage

VISHAY

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n-Kanal 162A 30V 950µohm 10V Oberflächenmontage 2.2V PowerPAK 1212-8S 57W 8Pin(s) 150°C TrenchFET Gen V -