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SiRA99DP

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Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Rds(on)-Messspannung Vgs Transistormontage Schwellenspannung Vgs Bauform - Transistor Verlustleistung Pd Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

3128845

Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

VISHAY

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p-Kanal 195A 30V 0.0013ohm 10V Oberflächenmontage 2.5V PowerPAK SO 104W 8Pin(s) 150°C TrenchFET Series -
SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

3128845RL

Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

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p-Kanal 195A 30V - 10V Oberflächenmontage 2.5V - - - 150°C - -