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BSM600D12P4G103
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerBSM600D12P4G103
Bestellnummer4168760
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id567A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand-
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins11Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.8V
Verlustleistung1.78kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
567A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
-
Anzahl der Pins
11Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.8V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
-
Verlustleistung
1.78kW
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.394
Produktnachverfolgung