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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG080N120SC1
Bestellnummer4382111
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 18 Woche(n)
10–14 Werktage für die Lieferung von Lagerartikeln (US Stock).
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 10.160 |
| 10+ | CHF 7.410 |
| 25+ | CHF 7.370 |
| 50+ | CHF 7.320 |
| 100+ | CHF 7.270 |
| 250+ | CHF 6.890 |
| 500+ | CHF 6.510 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 10.16 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG080N120SC1
Bestellnummer4382111
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationSingle
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung179W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Single
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
179W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
Produktnachverfolgung