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MMBZ6V8ALT1G

Zener-Diode, TVS, 6.8 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C

ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V8ALT1G

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
MMBZ6V8ALT1G
Bestellnummer:
2441419
Produktsortiment
Baureihe MMBZ6
Technisches Datenblatt:
MMBZ6V8ALT1G   Datasheet
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Produktbeschreibung

Die Produktreihe MMBZ umfasst zweifache TVS-Zener-Dioden mit gemeinsamer Anode für Anwendungen, in denen ein Schutz vor transienten Überspannungen erforderlich ist. Diese Dioden sind ausgelegt für den Einsatz in Überspannungs- und ESD-empfindlichen Geräten wie Computern, Druckern, Bürogeräten, Kommunikationssystemen, medizintechnischen Geräten und anderen Anwendungen. Sie sind ideal für Anwendungen mit beengten Platzverhältnissen auf der Leiterplatte.
  • Arbeitsspitzensperrspannung: 3 bis 26V
  • Standard-Zener-Durchbruchspannung: 5.6 bis 33V
  • Spitzenleistung: 24 oder 40W bei 1ms (unidirektional)
  • ESD-Schutz: Klasse 3B (>16kV) nach Human Body Model (HBM)
  • ESD-Schutz: Klasse C (>400V) nach MM
  • Maximale Begrenzungsspannung bei Impulsspitzenstrom
  • Niedriger Leckstrom: <5µA
  • Betriebstemperatur: -55 bis 150°C

Anwendungen

Computer & Computerperipheriegeräte, Kommunikation & Netzwerke, Medizinelektronik, Industrie

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Produktspezifikationen

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:
6.8V

:
300mW

:
SOT-23

:
-

:
3Pin(s)

:
150°C

:
Baureihe MMBZ6

:
AEC-Q101

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Technische Dokumente (2)

Verpackungsarten Reel

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