ESDR0502BT1G

ESDR0502BT1G ist eine TVS-Diode mit äußerst niedriger Kapazität zum Schutz spannungsempfindlicher Bauelemente vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladung (ESD) in Anwendungen, die eine äußerst niedrige Kapazität erfordern zur Aufrechterhaltung der Signalintegrität. Diese Diode weist eine niedrige Klemmspannung, einen niedrigen Leckstrom und eine kurze Ansprechzeit zusammen mit einer äußerst niedrigen Diodenkapazität von 0.5pF auf, um den besten ESD-Schutz dieser Klasse zu bieten. Der Baustein kann verwendet werden zum Schutz von zwei unidirektionalen Leitungen oder einer bidirektionalen Leitung. Bei Verwendung zum Schutz einer bidirektionalen Leitung beträgt die effektive Kapazität 0.25pF. Der Baustein eignet sich gut zum Schutz von Hochfrequenz-Signalleitungen wie USB 2.0-High-Speed- und Antennenleitungen.

• Niedrige Kapazität: 0.5pF
• Niedrige Begrenzungsspannung
• Niedriger Leckstrom
• Ansprechzeit: <lt/>1ns
• ESD-Schutz: IEC61000-4-2 Level-4
• Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C

Anwendungen

Computer & Computerperipheriegeräte, HF-Kommunikation, Industrie