Seite drucken
PMV20XNER
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.268 |
| 50+ | CHF 0.181 |
| 100+ | CHF 0.142 |
| 500+ | CHF 0.139 |
| 1500+ | CHF 0.136 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
CHF 1.34 (ohne MwSt.)
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMV20XNER
Bestellnummer2498579
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id5.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.019ohm
Bauform - TransistorTO-236AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.650mV
Verlustleistung510mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell PMV20XNE handelt es sich um einen n-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in einem kleinen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser FET verwendet die Trench MOSFET-Technologie und eignet sich für Relaistreiber und High-Speed-Leitungstreiber sowie Low-Side-Lastschalt- und Schaltanwendungen.
- Niedrige Schwellenspannung
- Verbesserte Verlustleistung von 1200mW
- ESD-Schutz: 2kV HBM
- Sperrschichttemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.7A
Bauform - Transistor
TO-236AB
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
510mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.019ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
650mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006804
Produktnachverfolgung