IS42S16160G-7TLI

Der synchrone 256MB-DRAM IS42S16160G-7TLI erreicht dank der Pipeline-Architektur eine hohe Datenübertragungsrate. Alle Eingangs- und Ausgangssignale beziehen sich auf die steigende Flanke des Takteingangs. Der 256MB-SDRAM ist organisiert als 4M x16x4-Bänke, 54-Pin-TSOPII und 54-Ball-BGA. Bei diesem Baustein handelt es sich um einen dynamischen 256MB-RAM-Speicher mit High-Speed-CMOS, der zum Betrieb in 3.3V-Vdd- und 3.3V-Vddq-Speichersystemen mit 268435456 Bits ausgelegt ist. Er ist intern als Quad-Bank-DRAM mit Synchronschnittstelle konfiguriert. Jede 67108864-Bit-Bank ist organisiert als 8192 Reihen x 512 Spalten x 16 Bits oder 8192 Reihen x 1024 Spalten x 8 Bits. Der 256MB-SDRAM umfasst einen AUTO REFRESH MODE und einen stromsparenden Abschaltmodus. Alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals, CLK, registriert. Alle Eingänge und Ausgänge sind LVTTL-kompatibel.

• Taktfrequenz: 143MHz
• Geschwindigkeit: 7ns
• Komplett synchron, alle Signale bezogen auf eine positive Taktflanke
• Interne Bank zum Verbergen von Zeilenzugriff/Vorladung
• Einfache Spannungsversorgung: 3.3 ± 0.3V
• LVTTL-Schnittstelle
• Programmierbare Burst-Länge - 1, 2, 4, 8, volle Seite
• Sequentielle/versetzte, programmierbare Burst-Sequenz
• Auto-Refresh (CBR)
• Self-Refresh
• 8000 Aktualisierungszyklen alle 16ms (A2) oder 64ms (gewerblich, industriell, A1)
• Zufällige Änderung der Spaltenadresse in jedem Taktzyklus
• Programmierbare CAS Latency - 2, 3 Takte
• Burst Read/Write- und Burst Read/Single Write-Betrieb möglich
• Burst-Abschluss durch Burst-Stopp und Vorlade-Befehl

Anwendungen

Industrie, Gewerbe, Computer & Computerperipheriegeräte