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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF3205ZPBF
Bestellnummer8210640
Auch bekannt alsSP001574672
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 1.320 |
10+ | CHF 0.820 |
100+ | CHF 0.778 |
500+ | CHF 0.678 |
1000+ | CHF 0.629 |
5000+ | CHF 0.560 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF3205ZPBF
Bestellnummer8210640
Auch bekannt alsSP001574672
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id110A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0065ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung170W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF3205ZPBF handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der die modernsten Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zudem weist dieser MOSFET eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltfrequenz sowie eine verbesserte wiederholte Avalanche-Fähigkeit auf. Diese Merkmale machen ihn zu einem sehr zuverlässigen Baustein mit äußerst hohem Wirkungsgrad zur Verwendung in zahlreichen Anwendungen.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Wiederholt Avalanche-fähig bis Tjmax
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
110A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
170W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0065ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRF3205ZPBF
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002