Mit zuverlässiger und kosteneffizienter Spitzenleistung

Megatrends wie Digitalisierung, Urbanisierung und Elektromobilität führen zu einem erhöhten Stromverbrauch und rücken die Energieeffizienz in den Mittelpunkt. Infineon reagiert darauf mit umfassenden Systemlösungen aus einer Hand und baut dabei nicht mehr nur auf seine etablierte Silizium-Technologie, sondern auch auf innovative Wide-Bandgap-Bausteine wie SiC-basierte CoolSiC™-MOSFETs.

Die CoolSiC™-MOSFET-Technologie von Infineon nutzt die starken physischen Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC), wie die Fähigkeit zum Betrieb bei höheren Spannungen, Temperaturen und Frequenzen. Durch die Integration einzigartiger Funktionen schafft Infineon es, die Geräteleistung weiter zu steigern. Durch die Anwendung der überlegenen TRENCH-Technologie von Infineon stellt der Einsatz von CoolSiC™-MOSFETs geringste Verluste bei der Anwendung und höchste Zuverlässigkeit beim Betrieb sicher.

CoolSiC™-MOSFETs eignen sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen. Dadurch ist eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung von höchster Systemeffizienz in einem breiten Anwendungsspektrum möglich.

Vorteile in der Anwendung

USV

Unterstützt höchste Effizienz im Dauerbetrieb und reduziert Energieverluste um 50 %

Server-Netzteil

Einsparungen bei den Betriebskosten durch erhöhte Energieeffizienz bei bis zu 30 % geringeren Verlusten

Schnelle EV-Ladegeräte

Elektrofahrzeuge werden 2-mal schneller aufgeladen

Energiespeicher

50 %-Reduktion der Verluste für zusätzliche Energie

Telekommunikationsnetzteil

Vereinfachtes Design und für raue 5G-Umgebungen geeignet

Solar-Wechselrichter

Doppelte Wechselrichterleistung bei gleichem Wechselrichtergewicht

NEUE Gehäusevariante: CoolSiC™-MOSFET (650 V) in 7-poligem D2PAK

  • Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
  • Kommutierungsrobuste Body-Diode mit kurzer Erholzeit und niedriger Qrr
  • Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
  • Tj,max=175 °C und hervorragendes thermisches Verhalten
  • Niedrigerer RDS(on) und geringere Impulsstromabhängigkeit von der Temperatur
  • Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
  • Kompatibel mit Standardtreibern (empfohlene Antriebsspannung: 0 V-18 V)
  • Kelvin-Quelle bietet bis zu 4-mal niedrigere Schaltverluste

CoolSiC-MOSFETs (650 V)

Der CoolSiC™ (650 V) basiert auf der von Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelten Siliziumkarbid-Technologie. Der CoolSiC™-MOSFET (650 V) nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit großem Bandabstand und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Das Produkt, das für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen ausgelegt ist, ermöglicht die vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung der höchsten Systemeffizienz.

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CoolSiC™-Leistungs-MOSFETs

ArtikelnummerSpezifikationGehäuseJetzt kaufen
IMBG65R022M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (22 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R030M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (30 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R039M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (39 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R048M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (48 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R057M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (57 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R072M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (72 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R083M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (83 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R107M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (107 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R163M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (163 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMBG65R260M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (260 mΩ)TO-263-7Jetzt kaufen
IMW65R048M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (48 mΩ)TO-247-3Jetzt kaufen
IMW65R027M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (27 mΩ)TO-247-3Jetzt kaufen
IMZA65R027M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (27 mΩ)TO-247-4Jetzt kaufen
IMZA65R048M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (48 mΩ)TO-247-4Jetzt kaufen
IMZA65R072M1HCoolSiC™ (650 V), SiC-basierter Trench-MOSFET (72 mΩ)TO-247-4Jetzt kaufen

EiceDRIVER™ 1EDN TDI

Mit den nicht isolierten Einkanal-Gate-Treiber-ICs der Baureihe EiceDRIVER™ von Infineon, die über echt differenzielle Eingänge verfügen, meistern Sie die Herausforderungen der Masse-Verschiebungen in Ihrem Design. Perfekte Ergänzung für die CoolSiC™-MOSFETs.

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EiceDRIVER™ 2EDi

150 mil, 16-poliges DSO Die isolierten Zweikanal-Gate-Treiber-ICs der Baureihe EiceDRIVER™ 2EDi sind für den robusten Betrieb in leistungsstarken CoolMOS™-, CoolSiC™- und OptiMOS™-MOSFET-Halbbrücken ausgelegt.

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Gate-Treiber-ICs für CoolSiC™-MOSFETs

ArtikelnummerSpezifikationGehäuseJetzt kaufen
2EDF9275FGate-Treiber-IC mit zwei Kanälen und funktionaler Trennung zwischen Eingang und Ausgang, UVLO 13 VNB-DSO16 10mmx6mmJetzt kaufen
1EDB9275FIsolierter Gate-Treiber-IC mit einem Kanal und funktionaler Trennung zwischen Eingang und Ausgang, UVLO 14,4 VPG-DSO 8Jetzt kaufen
1EDN7550BNicht isolierter Einkanal-Gate-Treiber mit echt differenziellen EingängenSOT-23Jetzt kaufen
2EDS9265HGate-Treiber-IC mit zwei Kanälen und verstärkter Trennung zwischen Eingang und Ausgang, UVLO 13 VWB-DSO16 10,3 mm x 10,3 mmJetzt kaufen

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Bidirektionale Totem-Pole-PFC-Einheit (3300 W, CCM) mit CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7 und digitaler Steuerung mit dem XMC™

Dieses Evaluationsboard ist eine Systemlösung für einen brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektor (PFC) mit bidirektionaler Leistungsfähigkeit. Das Evaluationsboard EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC richtet sich an Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad (~99 %) und eine hohe Leistungsdichte (72 W/in3) erfordern, wie z. B. High-End-Server und Telekommunikation. Darüber hinaus ermöglicht die bidirektionale Leistungsflussfähigkeit die Verwendung dieses Designs in Ladegeräten oder Batterieformationsanwendungen.

Die wichtigsten Eigenschaften

  • Brückenlose Totem-Pole-PFC-Schaltung mit hohem Wirkungsgrad
  • Hohe Leistungsdichte
  • Befähigt durch CoolSiC™-MOSFET (650 V)
  • Digital gesteuert mit dem XMC1404
  • Bidirektionale Funktion (DC/AC-Betrieb)

Vorteile

  • Wirkungsgrad nahe 99 %
  • Kompakter Formfaktor (72 W/in3)
  • Geringe Anzahl an Bauelementen
  • Bidirektionaler Betrieb (digitale Steuerung)

Mögliche Anwendungsbereiche

  • Energiespeichersysteme
  • Batterieformation
  • Laden
  • Laden von Elektrofahrzeugen
  • E-Mobilität
  • Industrielle Stromversorgung
  • Netzteil (SMPS)
  • Robotik – fahrerlose Transportfahrzeuge
  • Telekommunikation

EVAL_3KW_50V_PSU

SMPS-Lösung (3 kW) für die Spezifikationen der Open Compute-V3-Gleichrichter

Mit diesem Design wird eine umfassende Systemlösung von Infineon für eine 3 kW-Stromversorgung bereitgestellt, die auf die Spezifikationen der OCP-V3-Gleichrichter für Server und Rechenzentren abzielt. Die Stromversorgung besteht aus einem brückenlosen Front-End-Totem-Pole-AC/DC-Wandler, gefolgt von einem isolierten Back-End-DC/DC-Halbbrücken-LLC-Wandler. Der Front-End-Totem-Pole-Wandler verfügt über eine Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und eine gesamte harmonische Verzerrung (THD). Der LLC-Wandler sorgt für eine sichere Trennung und eine eng geregelte Ausgangsspannung. 

Die wichtigsten Eigenschaften

  • Vollständige Stromversorgung für die Spezifikationen der Open Compute-V3-Gleichrichter
  • Sehr hoher Spitzenwirkungsgrad
  • Brückenloser Totem-Pole-PFC mit CoolSiC™
  • Halbbrücken-LLC mit CoolMOS™ und OptiMOS™
  • Volldigitale Steuerung mit XMCTM-Mikrocontrollern

Vorteile

  • Formfaktor (Gesamtabmessungen) des Open Compute-V3-Gleichrichters (Stromversorgung)
  • 95 % Spitzenwirkungsgrad (Lüfter nicht enthalten) bei 230 VAC
  • Sehr hoher Wirkungsgrad durch Kombination von CoolSiC™, CoolMOS™ und OptiMOS™
  • Überbrückungszeit von 20 ms bei Volllast
  • EMV-Klasse B, Pre-Compliance getestet

Mögliche Anwendungsbereiche

  • Server und Rechenzentren