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WNSC2D04650DJ
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.409 |
| 500+ | CHF 0.405 |
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2D04650DJ
Code Commande3703838RL
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen4A
Charge Capacitive Totale6.5nC
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHC0
Produits de remplacement pour WNSC2D04650DJ
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
6.5nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
0
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
4A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :0
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004082