Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIAA02DJ-T1-GE3
Code Commande3263507RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
6’011 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.313 |
| 500+ | CHF 0.240 |
| 1000+ | CHF 0.217 |
| 5000+ | CHF 0.185 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 36.30 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIAA02DJ-T1-GE3
Code Commande3263507RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id52A
Résistance Rds(on)0.0035ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON4700µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SC-70
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.6V
Dissipation de puissance19W
Dissipation de puissance Pd19W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Rds(on)
0.0035ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SC-70
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
19W
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
52A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4700µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.6V
Dissipation de puissance Pd
19W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000054
Traçabilité des produits