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AG185FGD3HRBTL
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.140 |
| 10+ | CHF 1.590 |
| 100+ | CHF 1.200 |
| 500+ | CHF 1.040 |
| 1000+ | CHF 0.951 |
| 5000+ | CHF 0.841 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantAG185FGD3HRBTL
Code Commande4691413
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id80A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0032ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance96W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
80A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
96W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
0
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0032ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00032
Traçabilité des produits