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FDD10N20LZTM
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 7.6 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD10N20LZTM
Code Commande2825151RL
Gamme de produitUniFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id7.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.3ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7.6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.3ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
UniFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits