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FGH60N60SMD
IGBT, À usage général, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 6.660 |
| 10+ | CHF 6.160 |
| 100+ | CHF 3.860 |
| 500+ | CHF 3.230 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGH60N60SMD
Code Commande1885737
Fiche technique
Courant Collecteur Continu120A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.9V
Dissipation de puissance600W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-247AB
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FGH60N60SMD est un IGBT Field Stop avec une capacité de courant élevée et une faible tension de saturation.
- Commutation rapide
- Température de jonction 175°C maximum
- Répartition des paramètres étroite
- Impédance d'entrée élevée
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
120A
Dissipation de puissance
600W
Type de boîtier de transistor
TO-247AB
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.9V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00542
Traçabilité des produits