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DMN2310UFD-7
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Montage en surface
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| 10+ | CHF 0.239 |
| 100+ | CHF 0.153 |
| 500+ | CHF 0.132 |
| 1000+ | CHF 0.115 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2310UFD-7
Code Commande3828406
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id1.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.15ohm
Type de boîtier de transistorU-DFN1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max950mV
Dissipation de puissance1.1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1.9A
Type de boîtier de transistor
U-DFN1212
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.15ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
950mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits