S25FL256SAGMFI000

La S25FL256SAGMFI000 est une mémoire flash FL-L multi-E/S SPI, 3,0V. Ce composant se connecte à un système hôte via une SPI. Entrée et sortie série SPI simple bit (Single I/O ou SIO) pris en charge ainsi qu'une option avec deux bits (Dual I/O ou DIO) et quatre bits (Quad I/O ou QIO) Cette interface largeur multiple est appelé SPI multi-I/O ou MIO. De plus, la famille FL-S ajoute la prise en charge des commandes de lecture à débit binaire double (DDR) pour SIO, DIO et QIO qui transfèrent l'adresse et lisent les données sur les deux fronts d'horloge. L'exécution de code directement à partir de la mémoire flash est souvent appelée Execute-In-Place ou XIP. En utilisant un composant FL-S à des fréquences d'horloge plus élevées avec des commandes QIO ou DDR-QIO, le taux de transfert de lecture d'instruction peut correspondre ou dépasser les mémoires flash NOR, asynchrones et NOR traditionnelles tout en réduisant considérablement le nombre de signaux. Il offre des densités élevées associées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une variété d'applications mobiles ou embarquées.

• Densité de 256Mo, technologie de traitement MIRRORBIT™ 65nm
• Vitesse de 133MHz, tension d'alimentation VIO de 2,7V à 3,6V / 1,65V à 3,6V
• Vitesse de lecture normale (SDR) de 6Mbps (50MHz), vitesse de lecture rapide (SDR) de 17Mbps (133MHz)
• Vitesse de lecture normale (SDR) de 26Mbps (104MHz), vitesse de lecture rapide (SDR) de 52Mbps (104MHz)
• Vitesse de lecture normale (DDR) de 20Mbps (80MHz), vitesse de lecture rapide (DDR) de 40Mbps (80MHz)
• Protection avancée des secteurs, mode de démarrage automatique
• Effacer, suspendre/reprendre, programmer, suspendre/reprendre
• 100 000 cycles de programmation-effacement minimum, 20 ans de rétention des données minimum
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C
• Boîtier SO 16 broches