2013/06/20

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STMICROELECTRONICS - RBO40-40G - REVERSED BATT&UEBERSPANNUNGSSCHUTZ

STMICROELECTRONICSRBO40-40G
Abbildung ist ähnlich.
Ausschlaggebend sind die Produktangaben des jeweiligen Herstellers (z.B. Datenblatt).Irrtümer & Änderungen der Produktbeschreibung bleiben jederzeit vorbehalten.
Hersteller:
STMICROELECTRONICS
Farnell Best.Nr.:
1611383
Herst.Bez.:
RBO40-40G

Technical Data Sheet (176.37KB) EN
Technical Data Sheet (176.37KB) EN

Produktinformationen
  • REVERSED BATT&UEBERSPANNUNGSSCHUTZ
  • Spannung ( Urwm): 35V
  • Breakdown Voltage Min: 22V
  • Max. Durchbruchspannung: 35V
  • Spannung, Begrenzungs- max.: 40V
  • Strom, Spitzenpuls-: 37.5A
  • Diodengehäusestil: TO-263
  • Anzahl Pins: 3
  • MSL: MSL 3 - 168 Stunden
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2012)
  • Anschlussart: Oberflächenmontage
  • Diode Type: TVS
  • Durchbruchspannung: 22V bis 35V
  • Durchbruchspannung: 35V
  • Gehäusetyp: D2-PAK
  • Kapazitätswert, Cd bei Vr: 3000pF
  • Leistung, Spitzenimpuls: 1.5kW
  • Spannung, Stand-: 35V

Verfügbare Menge

1'436 auf Lager für Auslieferung am nächsten Arbeitstag (GB-Lagerbestand)
Siehe "Cut-Off"-Zeiten
1436 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:00 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)

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Einzelpreis: SFr. 4.05  

  1. Menge

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Menge Preis
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25  - 99 SFr. 3.15
100+  SFr. 2.40
Gesetzgebung und Umweltschutz
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REVERSED BATT&UEBERSPANNUNGSSCHUTZ

Spannung ( Urwm):35V; Breakdown Voltage Min:22V; Max. Durchbruchspannung:35V; Spannung, Begrenzungs- max.:40V; Strom, Spitzenpuls-:37.5A;

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FK 244 08 D2 PAK

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KÜHLKÖRPER, D2-PAK, 29,3K/W

IC / Transistor Package / Case:TO-263; Thermischer Widerstand:29.3°C/W; Externe Höhe - Imperial:0.39"; Externe Höhe - Metrisch:10mm; Aussenbreite - Imperial:0.31";

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100+
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