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STMICROELECTRONICS  PD55003-E  HF-FET-Transistor, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

STMICROELECTRONICS PD55003-E
Technical Data Sheet (469.34KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The PD55003-E is a N-channel RF Power Transistor designed for high gain, broad band applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. It boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.
  • Excellent thermal stability
  • Common source configuration
  • Enhancement-mode lateral field-effect transistor

Produktspezifikationen

Drain-Source-Spannung Vds:
40V
Dauer-Drainstrom Id:
2.5A
Verlustleistung Pd:
31.7W
Betriebsfrequenz, min.:
-
Betriebsfrequenz, max.:
1GHz
Bauform:
PowerSO-10RF
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
165°C
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 3 - 168 Stunden
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Gewerbe;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 3 - 168 Stunden
Herkunftsland:
Malaysia

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.001801

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