Low

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ5V6ALT1G  TVS-Diode, TVS, Baureihe MMBZ, Unidirektional, 3 V, 8 V, SOT-23, 3 Pin(s)

ON SEMICONDUCTOR MMBZ5V6ALT1G
Technical Data Sheet (74.14KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The MMBZ5V6ALT1G is a Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode with a void-free transfer-molded thermosetting plastic case and easily solderable corrosion-resistant finish. This dual monolithic silicon Zener diode is designed for applications requiring transient overvoltage protection capability. It is intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as printers, business machines and communication systems. This device is ideal for situations where board space is at a premium.
  • <5µA Low leakage
  • UL94V-0 Flammability rating
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Produktspezifikationen

Produktpalette:
Baureihe MMBZ
TVS-Polarität:
Unidirektional
Sperrspannung Vrwm:
3V
Begrenzungsspannung Vc, max.:
8V
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Durchbruchspannung, min.:
5.32V
Durchbruchspannung, max.:
5.88V
Spitzenimpulsverlustleistung:
24W
Verpackung:
Gurtabschnitt
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Computer & Computerperipheriegeräte;
  • Kommunikation & Netzwerke;
  • Medizinelektronik

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85411000
Gewicht (kg):
.000008

Alternativen

ESD-Schutzbaustein, TVS, 8 V, TO-236AB, 3 Pin(s), 900 mV, 290 mW

NXP

Gurtabschnitte
26 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

1+ CHF 0.19 25+ CHF 0.186 100+ CHF 0.0384 250+ CHF 0.0338 Mehr…

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