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ON SEMICONDUCTOR  1N5821RLG  Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 500 mV

ON SEMICONDUCTOR 1N5821RLG
Technical Data Sheet (123.80KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The 1N5821RLG is an axial-lead Schottky Barrier Rectifier with epoxy moulded case. This series employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifier in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
  • Cathode indicated by polarity band
  • Extremely low VF
  • Low power loss/high efficiency
  • Low stored charge, majority carrier conduction
  • All external surfaces corrosion-resistant

Produktspezifikationen

Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:
30V
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):
3A
Diodenkonfiguration:
Einfach
Bauform:
DO-201AD
Anzahl der Pins:
2Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.:
500mV
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:
80A
Betriebstemperatur, max.:
125°C
Verpackung:
Stückweise
Produktpalette:
1N5821 Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Power-Management;
  • Industrie

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
United States

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85411000
Gewicht (kg):
.001499

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Preiseinheit: Stück

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