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NXP  PBHV8118T  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

NXP PBHV8118T
Technical Data Sheet (164.82KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
180V
Übergangsfrequenz ft:
30MHz
Verlustleistung Pd:
300mW
DC-Kollektorstrom:
1A
DC-Stromverstärkung hFE:
250hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000008

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