Low

MULTICOMP  2N6059  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 150 W, 12 A, 100 hFE

MULTICOMP 2N6059
Technical Data Sheet (237.23KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The 2N6059 is a 100V Silicon NPN Epitaxial Base Transistor in monolithic Darlington configuration intended for use in power linear and low frequency switching applications.
  • High gain
  • High current
  • High dissipation
  • Integrated anti-parallel collector-emitter diode

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
100V
Übergangsfrequenz ft:
4MHz
Verlustleistung Pd:
150W
DC-Kollektorstrom:
12A
DC-Stromverstärkung hFE:
100hFE
Bauform:
TO-3
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
200°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Industrie

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Taiwan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Y-Ex
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.0115

Alternativen

DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3

NTE ELECTRONICS

7:  Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück

1+ CHF 12.91 50+ CHF 11.71 100+ CHF 10.72 250+ CHF 9.91 Mehr…

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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE

ON SEMICONDUCTOR

86 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück

1+ CHF 5.44 10+ CHF 4.19 100+ CHF 3.66 250+ CHF 3.17 Mehr…

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