Low

2N6059 - 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 150 W, 12 A, 100 hFE

2N6059 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 150 W, 12 A, 100 hFE

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
2N6059
Bestellnummer:
1165895
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

The 2N6059 is a 100V Silicon NPN Epitaxial Base Transistor in monolithic Darlington configuration intended for use in power linear and low frequency switching applications.
  • High gain
  • High current
  • High dissipation
  • Integrated anti-parallel collector-emitter diode

Anwendungen

Industrie

Produktspezifikationen

:
NPN
:
100V
:
4MHz
:
150W
:
12A
:
100hFE
:
TO-3
:
3Pin(s)
:
200°C
:
-
:
-
:
-
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