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IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR35N120B  IGBT-Einzeltransistor, 70 A, 3.3 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B
Technical Data Sheet (49.14KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

DC-Kollektorstrom:
70A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on):
3.3V
Verlustleistung Pd:
200W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
1.2kV
Bauform:
TO-247AD
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Germany

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.005

Alternativen

IGBT-Einzeltransistor, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)

IXYS SEMICONDUCTOR

70 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück

1+ CHF 22.60 25+ CHF 18.37 100+ CHF 9.49 250+ CHF 9.29 Mehr…

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