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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100F  Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F
Technical Data Sheet (107.05KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The IXFH12N100F is a 1000V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET designed for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
  • Double metal process for low gate resistance
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance offers easy to drive and protect
  • Fast intrinsic rectifier
  • Space-saving s
  • High power density

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
12A
Drain-Source-Spannung Vds:
1kV
Betriebswiderstand, Rds(on):
1.05ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
3V
Verlustleistung Pd:
300W
Bauform:
TO-247AD
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Power-Management;
  • Industrie

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Great Britain

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.009525

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