Low

IXFH12N100F - 

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
IXFH12N100F
Bestellnummer:
1428804
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktspezifikationen

:
3Pin(s)
:
TO-247AD
:
1.05ohm
:
3V
:
300W
:
12A
:
150°C
:
1kV
:
-
:
n-Kanal
:
10V
:
-
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Produktbeschreibung

The IXFH12N100F is a 1000V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET designed for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
  • Double metal process for low gate resistance
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance offers easy to drive and protect
  • Fast intrinsic rectifier
  • Space-saving s
  • High power density

Anwendungen

Power-Management, Industrie