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IRL2910SPBF.. - 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 29 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 2 V

IRL2910SPBF.. - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 29 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 2 V

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
IRL2910SPBF..
Bestellnummer:
1704514
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

The IRL2910SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
  • Logic level gate drive
  • Advanced process technology
  • Dynamic dV/dt rating
  • Fully avalanche rating

Anwendungen

Power-Management

Produktspezifikationen

:
n-Kanal
:
29A
:
100V
:
0.026ohm
:
10V
:
2V
:
3.8W
:
TO-263
:
3Pin(s)
:
175°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - unbegrenzt
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