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INFINEON  IRFB5620PBF..  MOSFET-Transistor, n-Kanal, 25 A, 200 V, 60 mohm, 10 V, 5 V

INFINEON IRFB5620PBF..
Technical Data Sheet (268.76KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.
  • Low RDS (ON) for improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
  • Low QRR for better THD and lower EMI

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
25A
Drain-Source-Spannung Vds:
200V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.06ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
5V
Verlustleistung Pd:
144W
Bauform:
TO-220AB
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
175°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Audio;
  • Unterhaltungselektronik;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Philippines

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.002

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