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IRFB5620PBF - 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 25 A, 200 V, 60 mohm, 10 V, 5 V

INFINEON IRFB5620PBF

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
IRFB5620PBF
Bestellnummer:
1704511
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktspezifikationen

:
3Pin(s)
:
TO-220AB
:
0.06ohm
:
5V
:
144W
:
25A
:
175°C
:
200V
:
-
:
n-Kanal
:
10V
:
-
:
-
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Produktbeschreibung

The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.
  • Low RDS (ON) for improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
  • Low QRR for better THD and lower EMI

Anwendungen

Audio, Unterhaltungselektronik, Power-Management

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