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INFINEON  IRFB3004PBF.  MOSFET-Transistor, HEXFET, n-Kanal, 195 A, 40 V, 1.75 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRFB3004PBF.
Technical Data Sheet (457.74KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The IRFB3004PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
  • Fully characterized capacitance and avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
195A
Drain-Source-Spannung Vds:
40V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.00175ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
4V
Verlustleistung Pd:
380W
Bauform:
TO-220AB
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
175°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Mexico

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.002

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