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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCX70J  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 125 MHz, 350 mW, 200 mA, 250 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX70J
Technical Data Sheet (147.98KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The BCX70J is a NPN silicon epitaxial General Purpose Transistor offers 200mA collector current and 45V collector-base voltage.
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
45V
Übergangsfrequenz ft:
125MHz
Verlustleistung Pd:
350mW
DC-Kollektorstrom:
200mA
DC-Stromverstärkung hFE:
250hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.45

Alternativen

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 250 MHz, 350 mW, 200 mA, 300 hFE

MULTICOMP

2'445 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück

5+ CHF 0.0957 25+ CHF 0.0816 100+ CHF 0.0694 500+ CHF 0.0622 Mehr…

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